Hot Electrons

TiO2

• TiO2 具有宽带隙：Eg = 3.4 eV, lambda = 340 nm.

• 已经成为了半导体光电转化领域的基准材料.

• TiO2 具有高的折射率，高的折射率导致了高的光学吸收率，从而提高了光电转化效率.

• TiO2 具有高的载流子迁移率，从而提高了光电转化效率.